等离子体增强化学气相沉积
服 务 商：
中国科学技术大学
品牌/型号：
Oxford instruments Plasma Technology PECVD100
样品要求：
服务特色：
PECVD最重要的应用之一是沉积微电子器件用绝缘薄膜，在低温下沉积氮化硅、氧化硅或硅的氮氧化物一类的绝缘薄膜，这对于超大规模集成芯片的生产是至关重要的。PECVD的一个重要优点是能在比热CVD更低的温度下沉积。PECVD技术在250～400C的温度范围内使氮化硅薄膜的沉积成为可能；PECVD沉积SiO2绝缘层被广泛地应用于半导体器件工艺，最近在光学纤维的涂层和某些装饰性涂层方面获得了应用；
