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品 牌： 英国牛津
型 号： Plasmalab System133
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样品回收： 收费回寄
前置处理： 不支持样品处理
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检测项目：
刻蚀
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检测条件：
具体沟通
检测范围
1.可以较好地精确地控制刻蚀的深度，刻蚀深度几个nm到几十个微米;
2.通过调整刻蚀参数和刻蚀掩膜，可以调节刻蚀的角度。
样品要求
根据具体需求评估，按次数收费
仪器参数
工作原理：采用高频辉光放电反应，将反应气体解离为活性粒子，如原子或自由基，通过电磁场加速，这些活性粒子扩散到需要刻蚀的部位，与刻蚀材料进行反应，生成易挥发的物质被去除。
用途：刻蚀GaN、Si、AlGaInP、AlGaN、SiO2、Si3N4等材料
技术指标：
1. ICP离子源：0-3000W；RF射频源：0-600W
2. 刻蚀气体：Cl2、BCl3、Ar、SF6、O2、CHF3
3.样品尺寸：27*2英寸、6*4英寸、1*6英寸
4.基底刻蚀温度： -20℃-80℃可调
5. 刻蚀均匀性：<±3%
样品测试效果图
仪器特色&服务特色
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