检测范围
冷场发射电子枪，具有高稳定性、高亮度和高能量分辨率等特点；
200 kV加速电压，点分辨率≤0.23 nm，晶格分辨率≤0.104 nm；
配有HAADF附件，能最大程度发挥STEM功能，STEM HAADF分辨率可达0.16 nm，并可同时拍摄二次电子像或背散射电子像；
安装有两个100平方毫米的无窗
仪器参数
日本电子JEM-F200 (HR)是一款新型的冷场发射电子显微镜。该设备配置有HAADF附件，并采用全新概念的四级聚光镜设计，分别控制亮度和汇聚角，能最大程度发挥出STEM功能；安装有两个100平方毫米无窗探头及双能谱混合器，将普通电镜能谱的分析能力拓展到原子尺度；低剂量曝光技术和图像三维重构软件可提供独特的图像三维重构功能。因此，该设备可广泛应用于金属、矿物、半导体、陶瓷、生物、高分子、复合材料、催化剂等物质的纳米尺度微分析，可实现的功能主要有：1、微观结构研究：材料的形貌、结构、缺陷和界面的微观分析，包括明场像、暗场像、STEM像、高角环形暗场像、选区电子衍射、背散射电子/二次电子像和高分辨分析；2、材料微观结构成分研究：成分的定性和半定量分析，元素的点、线和面分析等。
核心参数:
1、分辨率：点分辨率≤ 0.23 nm，晶格分辨率：≤ 0.104 nm，STEM HAADF分辨率：≤ 0.19 nm
2、束斑尺寸：TEM模式 1-20 nm；Probe模式 < 0.5-20 nm
3、加速电压：最高200 kV，加速电压最小步长 50 V
4、TEM放大倍数：LOW MAG模式 ×50-6 k； MAG模式 ×1 k-2000 k
5、STEM放大倍数：LOW MAG模式 ×200-15 K； MAG模式 ×20 K-150 M
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