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晶边缺陷检查设备(wafer edge inspection tool)
上海集成电路研发中心有限公司
KLA-Tencor，CV300R
上海市
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检测范围

该设备可用于45纳米的工艺研发过程中的晶圆边缘缺陷检测

仪器参数

1. 高扫描精度, 其入射光斑小于2微米;2. 高光学放大倍率,至少达到500倍;3. 缺陷扫描能够覆盖上平面,上斜坡面,边缘顶点,下斜坡面和下平面 5个区域.
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