发光显微镜(Emission Microscope)
泛铨(上海)电子科技有限公司
宇创,p-100
上海市
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检测范围

1.P-N接面漏电  2.接触窗突穿造成的P-N接面的漏电  3.饱和区晶体管的热电子  4.P-N接面崩溃  5.闩锁效应  6.氧化层漏电流产生的光子激发  7.细丝残留的多晶硅  8.硅基底的损害及毁坏

仪器参数

1.P-N接面漏电  2.接触窗突穿造成的P-N接面的漏电  3.饱和区晶体管的热电子  4.P-N接面崩溃  5.闩锁效应  6.氧化层漏电流产生的光子激发  7.细丝残留的多晶硅  8.硅基底的损害及毁坏
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