场发射扫描电子显微镜/能谱仪(Scanning Electron Microscope/energy spectrometer)
上海科汇高新技术创业服务中心
FEI Electron Optics B.V. / EDAX,Quanta 400 FEG;CENESIS XM2 SEM EDS
上海市
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检测范围

以很高的分辨率对物质微观形貌进行显微成像分析;测定物质结构;在物质微观形貌及结构进行分析的同时,对物质成分进行微区分析,微区尺寸可为纳米尺度。EBSD技术获得纳米材料以及超细材料的晶体结构和晶体取向,从而确定晶体生长模型;对于金属材料进行织构分析、相鉴定、晶

仪器参数

分辨率二次电子(SE)成像:高真空模式:30kV时 1.2 nm;1kV时 3.0nm                  低真空模式:30kV时 1.5 nm;3kV时 3.0nm                  ESEM?环境真空模式: 30kV时 1.5 nm背散射电子(BSE)成像:30kV时 2.5 nm放大倍数高真空模式: 12x - 1,000,000x低真空模式: 12x - 1,000,000x
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