钨灯丝扫描电子显微镜(Tungsten Emission Electron Microscope)
上海芯索芯片分析技术有限公司
-,MIRA I FE
上海市
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检测范围

用于样品的图象采集、自动拼接、处理等。

仪器参数

1.分辨率:高真空(SE)3.0nm at 30kv    2.放大倍数:4 to 1000000×
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