检测范围
制备镶嵌于NaF和SiO2介质中孤立分散的Ge、GaSb 、InSb半导体量子点、纳米晶和薄膜，以及掺杂Mn、Co、Fe、Cu 等金属的稀磁半导体薄膜。工作方式为单靶独立工作、轮流工作、双靶共溅和三靶共溅射。
仪器参数
1.镀膜室采用涡轮分子泵抽气系统，极限真空≤6.0×10-6 Pa。2.磁控靶为3个Φ75㎜磁控靶。3.基片尺寸为ф75mm，制备100 nm厚的薄膜时均匀性优于 5 nm。4.基片加热温度≥1000℃±1℃，靶基距50-100mm范围内可调，基片自转。5.设备能连续一个星期的长时间工作，性能稳定。6.采用磁力样品传递：在镀膜室不曝露大气条件下完成取送样品的要求
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