少子寿命测试仪(minority carrier lifetime tester)
上海大学
SEMILAB SEMT,WT2000PV
上海市
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检测范围

单晶和多晶硅块/锭,任意形状、半径的硅片微波光电导衰减法测量硅片少数载流子寿命,Fe沾污测量;涡旋电阻法测量pn结电阻率、方块电阻;测量电池片LBIC电流,扩散长度,反射率,计算内外量子效率。

仪器参数

1.微波激发波长905nm,最小扫描步长1mm2.LBIC四个激发波长:408nm,850nm,950nm,980nm3.方块电阻测试4.体电阻测试
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