检测范围
测试已封装的半导体器件的热属性，包括半导体器件封装二极管，发光二极管，双极晶体管，MOSFET，功能模拟/数字集成电路，ACSICS，IGBT的，可控硅，晶闸管等。利用结温的测量，热分析仪分析技术准确地测量半导体器件的热参数，对半导体器件的设计和应用中的热可靠性十分重要。
仪器参数
0-1(2)安培电流测量准确度：±5mA(±10mA) 仪表显示：±0.5mA(±1.0mA) 0-10(20)安培电流测量准确度：±20mA(±40mA) 仪表显示：±5mA(±10mA) 电压测量准确度：±0.2%，±10mV 仪表显示：±5mV 热电偶测量准确度：（标准类型T）：±0.15℃典型，±0.15℃最大（温度感应通道准确度：±0.5%，±2%最大 脉冲时间准确度/重复性：±0.1%，±1%最大 温度测试延时：最小3毫秒 芯片连接脉冲选择：0.002-1000秒 模拟输出控制端口：0-10V
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