扩散炉(Is improving)
清华大学
ASM公司,DFS-175-3-ICC
北京市
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检测范围

此设备在700~800℃之间,由二氯氢硅和氨气反应,生成氮化硅薄膜。

仪器参数

生长氮化硅薄膜,工艺温度700~800℃

仪器特色&服务特色

吴华强 微电子所;许军 微电子所;陈炜 微电子所;钱鹤 微电子所;刘泽文 微电子所;岳瑞峰 微电子所;         王喆垚 微电子所;蔡坚 微电子所;邓宁 微电子所;伍晓明 微电子所
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