溅射镀膜系统(Is improving)
清华大学
ANELVA株式会社,L-332S-FHL
北京市
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检测范围

电子在电场作用下,与氩原子发生碰撞,电离出大量的氩离子和电子,电子飞向基片,氩离子在电场的作用下加速轰击靶材,溅射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响,被束缚在靠近靶面的等离子体

仪器参数

极限真空?7.0E-5Pa反射功率不超过5%均匀性: 4英寸样片范围内不超过5%,2英寸样片范围内不超过 3%样品最大尺片4英寸衬底温度最高250℃衬底自转20RPM直流功率最大2.5kW?射频功率最大600W溅射距离:80mm-125mm工艺压强: 0.1-10 Pa气体种类: Ar、O2、N2
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