检测范围
反应腔体中气体放电产生的等离子体，其中包含大量化学活性基团，这些基团与材料表面相互作用使表面发生化学反应，生成可挥发产物，这些挥发产物被真空系统抽走。反应腔体上下电极面积不相等，产生偏压对样品表面有一定的轰击，也可以起到一定的刻蚀作用。用该系统具有良好的
仪器参数
反应腔体极限真空5.6E-4Pa刻蚀样品最大尺寸可达4英寸刻蚀气体种类包括：Cl2、 BCl3、CF4、SF6、CHF3、?H2、Ar2、O2、N2??刻蚀功率范围：10W--150W刻蚀压力范围：1Pa--50Pa刻蚀的均匀性小于5%刻蚀深度几十纳米至几百纳米设备包括预真空腔体和工艺反应腔体
分享
