检测范围
通过测量、分析荧光光谱随各种参数(外微扰)，如温度、压力、合金组分、激发光强、光子能量、外场等的变化，可以获得被测半导体基本电子态的丰富信息以及材料品质的若干信息。
仪器参数
激发单色仪：波长=330nm
发射单色仪：1号光栅的光栅常数g=1200/mm；线色散率D=2.64nm/mm；闪耀波长 =550nm； 2号光栅的光栅常数g=600/mm；线色散率D=2.64nm/mm；闪耀波长 =1250nm。
单色仪波长准确度：0.3nm；波长精度：0.06nm；光栅分辨力：0.06nm。
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