金属有机化学物气相沉积系统(Metal organic Chemical Vapor Deposition)
吉林大学
德国 AIXTRON Ltd,CCS3X2FT , *
吉林省
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检测范围

样品生长过程中,EpiCurve?TT原位监测系统可以检测薄膜的生长模式及其生长速率。研究领域:该套设备用于外延生长GaN,AlN,InN及其合金化合物半导体单晶薄膜材料及器件。

仪器参数

1. 最高生长温度:1300摄氏度2. 生长压力:100~600毫巴3. 托盘最大转速:300转/分钟4. 最大载气流量:20升/分钟
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