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金属有机物化学气相沉积设备
吉林大学
美国Emcore公司，D180 , *
吉林省
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检测范围

半导体薄膜生长

仪器参数

反应温度可达1000℃，红外光学探头测温，三区均匀性偏差在正负1℃以内，所制备的氧化物薄膜的厚度均匀性偏差在正负5%以内。
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