干法刻蚀机
华南理工大学
ULVAC.INC.,* *
广东省
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仪器参数

刻蚀过程整个刻蚀过程基板温度不能超过500℃,当刻蚀进行时,能够实时监测基板温度。Al膜刻蚀速率:≥80nm/min,不均匀性:≤15%;Mo膜刻蚀速率:≥50 nm/min,不均匀性:≤15%;SiNx刻蚀速率:≥300nm/min,不均匀性:≤10 %;SiO2刻蚀速率:≥150nm/min;不均匀性:≤10%;Al2O3刻蚀速率:≥80nm/min,不均匀性:≤10 %
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