碳化硅单晶炉
山东大学
济南金曼顿自动化技术,HVPT-35*10(-5)Pa/1*10(-9)
山东省
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检测范围

1-1000mbar惰性保护气环境将坩埚加热至2000℃以上,生长SiC晶体

仪器参数

自动旋转升降;极限真空率:小于5×10-5Pa
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