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感应耦合等离子刻蚀机(STS LPX ICP(ASE-SR))
重庆大学
英国STS公司，S/NO.MP05974英寸
重庆市
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检测范围

硅的深槽刻蚀

仪器参数

极限真空2×10-6Torr，工艺A刻蚀均匀性±2.62％，角度89.68°-89.91°；工艺B刻蚀均匀性±1.78％，角度89.78°90.1°

仪器特色&服务特色

中国核物理研究院开关释放、ICT线模卡加工、电子科大微型气相色谱仪释放等
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