检测范围
光刻机采用掩膜对准技术，对光刻胶进行曝光，使受紫外线光辐照的光刻胶发生性质变化，经过显影定影等处理步骤，从而在样品上形成微纳米精细图形。
仪器参数
1、具有背面对准功能
2、曝光面内均匀性：误差 ≤±1% （2英寸曝光范围内）
误差 ≤±2% （4英寸曝光范围内）
误差 ≤ ±3% （6英寸曝光范围内）
3、曝光分辨率：≤ 0.5 μm （硬接触）
≤0.8 μm （软接触）
4、对准精度：≤+/-1.0 μm （正面）
≤+/-1 ~ +/-2μm （背面）
5、放大倍数：90×~ 600×
分享
