立式HVPE单晶生长系统
山东大学
青岛精诚华旗微电子设备,HVPE-V10011200c
山东省
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检测范围

GaN单晶生长

仪器参数

最高工作温度需达到1100℃,转速5-100转/分,检测漏气率小于2*10-8atm scc/s
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