光刻机(Mask Aligner)
大连理工大学
SUSS MICRO TEC LITHOGRAPHY GMB,SUSS MA/BA6
辽宁省
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检测范围

对涂有光刻胶的基片进行紫外线曝光,将掩模板图形复制到基片上。

仪器参数

适于光刻6英寸的晶片;光刻最高分辨率0.2微米;双面光刻;对准精度1微米
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