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等离子增强系统(Plasma-enhanced MOCVD system)
大连理工大学
沈阳超高真空技术研究，ESPD-U
辽宁省
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检测范围

该设备及其生长技术兼有MBE和MOCVD的先进功能，对超薄层，陡峭异质结，复杂层状结构，超晶格量子阱量子点结构低维半导体材料生长十分有利。

仪器参数

装置上配有反射高能电子衍射原位实时监测系统，可提供生长表面微结构信息及实现原子尺度的控制生长；本底真空为10E-10torr，可在极低气压（10E-3torr）下低温生长；对MO气体流量可精确控制到0.05sccm量级，生长速度在很大范围可控。
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