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等离子体CVD纳米材料生长系统
中山大学
矽碁科技股份有限公司，ICPCVD-100/5路气体；衬底可加热至700℃
广东省
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检测范围

纳米材料生长

仪器参数

样品直径：4 inch
射频微波源功率：1000W
等离子体密度：10e21 /cm2
温度：室温~800oC
气体：H2, Ar, CH4, C2H2
压强：50mtorr
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