检测范围
此设备具有等离子体增强原子层沉积功能，同时也具有热原子层沉积功能，可用于生长多种氧化物、氮化物、和纯金属等薄膜，也可用于粉末样品涂层制备，并可对层厚进行原子层厚度的精确控制，可应用于材料学、物理学、化学、微电子、光电子、能源、催化等领域。
仪器参数
1.工作真空度小于10.0hPa；2.待机真空度保持（24h）小于13.0hPa；3.升温范围：50-500度连续可调；4.温度精确度控制：正负2度；5.配置等离子发生器，频率高于1.7MHz，功率：300-3000W连续可调；6.满足最大直径为8英寸的晶圆基底的加工要求；7.薄膜的纯度80%以上；8.薄膜厚度均匀性（热ALD和等离子体ALD）：500个循环单个6英寸wafer不超过2%；
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