检测范围
用于沉积p型、n型或本征非晶硅或者微晶硅薄膜；用于沉积氮化硅、氧化硅或碳化硅等钝化、减反射膜的制备。
仪器参数
生长室极限真空达到6.0X10-6Pa，不进行烘烤除气，生长室极限真空（不算气路负载）达到7X10-5Pa，生长室极限真空（有气路负载）达到7X10-4Pa，上下电极之间距离从10mm到60mm连续可调；三个生长室加热器温度达到660度时，基片温度达到了450度且温差为±2.2%。可在最大尺寸为156mm*156mm的样品上沉积非晶硅薄膜、微晶硅薄膜和氮化硅等钝化薄膜，薄膜的厚度均匀性小于等于±2.8%。
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