检测范围
离子束曝光/沉积/刻蚀系统
Ion beam lithography, deposition and milling system IonLine
离子线系统是集聚焦离子束和激光干涉控制样品台等技术于一体的微纳曝光、沉积和刻蚀系统；在微纳器件的大尺寸的拼接和集成制作方面具有很大的优势。
仪器参数
Specifications：
1. Beam size：8.0 nm at 30kV with 1pA beam current.
2. Maximum beam energy up to 40 kV
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