检测范围
最大晶片尺寸：4英寸，6路工艺气体，7路工艺气体，各路气最大流量如：N2=200 Sccm；BCl3=89；O2=98；Cl2=43； Ar=140；CF4=84；SF6=53。Max. ICP RF(w) 1250w；RIE RF 600w。适用于刻蚀Si，SiO2，Al2O3以及石墨等材料，主要应用于微纳器件的加工。
仪器参数
最大晶片尺寸：4英寸，6路工艺气体，各路最大流量分别为：200sccm，89sccm，98sccm，140sccm，84sccm，53 sccm。
仪器特色&服务特色
科技部重大研究计划纳米专项：碳基无掺杂纳电子器件和集成电路；
973国家重大研究计划纳米研究项目：新型高性能半导体纳米线电子器件和量子器件,20 名研究生；
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