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单面紫外光刻机(UV MASK ALIGNER)
北京大学
Suss，MJB4
北京市
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曝光波长：UV400；曝光面积：4英寸；分辨率：0.8μm；套刻精度：±0.5μm；光强均匀度：±4％；曝光方式：硬接触、软接触，接近和4种模式；倒计时曝光。紫外光刻机是采用掩膜对准技术，对光刻胶进行曝光再经过显影等处理步骤，在样品上形成亚微米精细图形，主要应用于各类科

仪器参数

曝光波长：UV400;曝光面积：4英寸；分辨率：0.8μm;套刻精度：±0.5μm;光强均匀度：±4％；曝光方式：硬接触、软接触，接近和4种模式；倒计时曝光

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