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金属有机物化学气相沉积设备(Metal OrganicChemicalVaporDeposition)
华中科技大学
英国THOMASSWAN，CCS3X2 FT/GAN
湖北省
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检测范围

Ga、In、Al、As、P不同组合的GaAs基、InP基Ⅲ-V族化合物半导体微结构材料外延制备

仪器参数

反应室容积：3#215;2”，生长处的外延层厚度误差可控制在纳米量级

仪器特色&服务特色

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