检测范围
实现高质量锗硅光电子材料的生长，例如硅基Ge薄膜材料生长，Ge量子点的外延生长，硅基Si1-xGex量子阱的外延生长
仪器参数
1.主腔室本底真空度小于1X10-10mbar；2.主腔室的加热台兼容标准Omicron小样品、3’’衬底；3.衬底加热温度可到1470℃；4.主腔室提供6个NW63CF（4.5quot;外径）法兰和2个NW200CF（10quot;外径）法兰用于连接蒸发源,此外还提供10个法兰接口用于后续的流量监测、RHEED和光学实验。；5.快速进样室配备衬底存储盘，可存储6片衬底
分享
