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电子束光刻系统(Electronbeamlithographysystem)
华中科技大学
荷兰VISTECLITHOGRAPHY，VISTECEBPG5000PES
湖北省
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检测范围

可进行十纳米级特征尺寸的光刻,可应用于光电子、半导体、微纳机械等领域的相关研究中的微纳加工，如集成光学、光电子器件、半导体器件、掩膜板等的制备及加工。

仪器参数

加速电压：50kV与100kV；束电流：100pA~100nA；扫描频率：25GHz；最小束斑直径：2.2nm；最小特征尺寸：8nm；写场拼接误差：20nm；套刻误差：20nm；可加工2～4寸晶片及碎片
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