检测范围
可在多种不同规格的规则基片（最大可达6英寸）或非规则基片上镀制金属、金属合金、金属氧化物或氮化物以及氮化硅、氧化硅等介质薄膜，支持反应溅射沉积和原位高温沉积。
仪器参数
2个真空室数量：预真空室和溅射室；极限真空：溅射室5.0#215;10-5Pa（环境湿度≤55%）溅射靶：美国科.特.莱斯科φ75mm磁控溅射靶三只；每只靶均支持直流溅射、射频溅射；样品台转速：0-25rpm，连续可调；样品加热温度：在无挥发情况下，加热体加热温度≥700℃，可自动控温，测温；样品台载片量：6吋一片，或小于6吋样品若干；美国AE射频电源RF600W一台，自动匹配器一台，DC1500W直流电源一台，?Sparc-LEV可调频率脉冲发生器。
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