反应离子刻蚀机(Reactive lon Etching)
华中科技大学
SENTECHINSTRUMENTSGMBH,ETCHLAB200
湖北省
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检测范围

Etchlab200的模块化设计,直接装载晶圆,使其对任何加工处理都工艺简单、灵活运用。基本配置下的典型应用有刻蚀电介质膜(SiO2,Si3N4),半导体(Si),聚合物和金属材料(Au,Pt,Ti,Ni)。

仪器参数

反应腔298mm直径,AlMgSi0.5材料,铰链连接顶盖,下电极铝制水冷电极,电极直径215毫米,4quot;-8quot;晶圆,可提供小片晶片托架,上电极硬铝镀层,带有淋浴头和中间光学终点探测窗口
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