检测范围
实现各种非标准基片曝光、复杂微纳图案、正反双面曝光、制备微电子器件、多层硅通孔器件、柔性电子器件、MEMS器件。
仪器参数
350W近紫外光源(365nm/405nm/436nm);均匀光束面积不小于6英寸;光强均匀性:±1%直径2”区域±2%直径4”区域±3%直径6”区域;输出强度:365nm光强输出强度>20mW/cm2;或400nm光强输出强度>40mW/cm2;光学系统具抗反射涂层以及消除衍射效应的功能;设备本身具有365nm线与400nm线光强探测功能以及反馈调节功能
仪器特色&服务特色
MEMS与柔性器件等样品