检测范围
进行各种膜层材料的沉积，并可控制沉积膜层的速率和厚度，用于纳米材料、太阳能光伏电池等领域的器件研发。
仪器参数
1.样品规格：6″Wafer；2.设备极限真空：2#215;10-8Torr；3.电子枪规格：6坩埚，20cc，5KW电源；4.设备框架尺寸：约72″宽×40″深×80″高；5.电路规格：380VAC/三相/50Hz/30Amps，需接地；6.气路规格：压缩空气，1/4″Swagelok接头@80psi；高纯氮气，1/4″Swagelok接头@10psi；工艺气体，1/4″Swagelok接头@5-7psi；7.水路规格：3/4″NPT接头@50psi；8.膜层均匀性：优于±5%
仪器特色&服务特色
高性能石墨烯器件与电路的批量制备与优化（与北京大学合作）（2014年）；高性能二硫化钼晶体管的界面调控与电输运化（2015年）；华为公司石墨烯射频器件研究项目（2016年）；省科技厅高性能二硫化钼晶体管的界面（2016年）
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