电子束直写刻蚀系统
西安交通大学
CRESTEC公司,CABL9000C
陕西省
我们目前尚未与西安交通大学提供的该仪器进行进一步的对接。如果您需要使用该仪器,建议您联系相关单位,以确定是否可以对外开放。您也可以通过 点击此处 提交需求,委托我们帮您联系相关单位。如果您选择通过我们联系相关单位进行送样测试,我们将为您提供以下保障:

检测范围

在电子束光刻胶上制作纳米结构。结合刻蚀或者Lift-Off剥离工艺,可以在各种基材(硅、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物)上制备纳米图形。 可用于小面积掩膜版、纳米电极、纳米电路等微纳尺度结构的加工。

仪器参数

最小线宽:30nm
加速电压:30kV
电子束斑直径:2nm
扫描电镜分辨率:2nm
加工晶圆尺寸:小于4英寸
如果找不到合适的仪器,您可以提交您的需求,由我们帮您匹配最优的服务商 提交需求