离子束刻蚀系统(Ion beam etching system)
北京科技大学
北京埃德万斯离子束技术研究所,LKJ-1C-150I
北京市
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检测范围

用于各种声、光、电特种器件的刻蚀,抛光,图形复印精度,取定研磨制造精度,分辨率优于0.5μm。

仪器参数

离子源口径:150mm;离子能量范围:0-800eV;工作离子能量范围:200-650eV;离子束流峰值密度:≥0.7;实用离子束密度:0.2-0.6;有效束径:≥100mm;系统极限压强:≤1*10-4Pa;系统工作本地压强:≤5*10-4Pa;氩气质量流量控制范围:0-10secm;准确度±15%、精度±0.2%;刻蚀角范围0-90°;刻蚀台自转速度:9rpm;刻蚀台表面温度:10℃-25℃

仪器特色&服务特色

用于各种声、光、电特种器件的刻蚀,抛光,图形复印精度,取定研磨制造精度,分辨率优于0.5μm。
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