HF气相刻蚀系统(hfqxksxt)
西北工业大学
美国SPTS公司,SPTS UETCH
陕西省
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检测范围

刻蚀的材料和尺寸:4英寸基片上的氧化硅材料,用于刻蚀氧化硅层,特别是对于研究采用表面工艺制造的MEMS微器件的器件层释放技术提供重要的技术支持。

仪器参数

刻蚀4英寸氧化硅片,刻蚀速度: 100-1000A/min (受工艺温度及压力影响),片内刻蚀均匀性:
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