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电感耦合等离子刻蚀机(ICP)
西北工业大学
英国STS公司，ICP ASE
陕西省
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检测范围

主要用于硅材料的深槽刻蚀，同时又兼顾MEMS表面工艺中的浅硅刻蚀。

仪器参数

0 微米深硅刻蚀   约2.5微米独立汽坑宽 大于 1 微米光刻胶掩膜厚度或大约 0.5 微米 SiO2 掩膜掩膜圆形的硅暴露面积小于 10% 刻蚀速度  >2 微米/分钟 光刻胶的选择比: >50 : 1 SiO2 的选择比  >100 : 1边壁角度: 90 度
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