检测范围
适用于4英寸硅片，可溅射铝，钛，铜，铂和金膜；
仪器参数
极限真空：7×10-5Pa ；，恢复真空：3×10-3Pa≤30min ，系统漏率：停泵关机12小时后真空度≤5Pa。，真空系统：分子泵+直联泵或机械泵，基片加热：加热范围从室度～400℃连续可调可控，控温精度±1%， ，靶的结构尺寸及成膜方式：靶在下，基片在上，向上溅射成膜。靶材直径Ф120mm。靶中心与基片中心距离连续可调，并有调位距离指示，样品转盘可行星轮式回转，转速5～50转/分连续可调。，成膜均匀性：优于±5%，钟罩尺寸：Ф500×300，电源：射频源一台：1000W
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