检测范围
适用于4英寸硅片,可溅射铝,钛,铜,铂和金膜;
仪器参数
极限真空:7×10-5Pa ;,恢复真空:3×10-3Pa≤30min ,系统漏率:停泵关机12小时后真空度≤5Pa。,真空系统:分子泵+直联泵或机械泵,基片加热:加热范围从室度~400℃连续可调可控,控温精度±1%, ,靶的结构尺寸及成膜方式:靶在下,基片在上,向上溅射成膜。靶材直径Ф120mm。靶中心与基片中心距离连续可调,并有调位距离指示,样品转盘可行星轮式回转,转速5~50转/分连续可调。,成膜均匀性:优于±5%,钟罩尺寸:Ф500×300,电源:射频源一台:1000W