离子束刻蚀系统(Ion beam etching system)
苏州大学
北京埃德万斯离子束技术研究所,LKJ-ID-150
江苏省
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检测范围

可刻蚀SiO2、Si、SiN、Mo、MoSi、Ta、TaSi、HfO2、光刻胶和多种金属等,即在玻璃或石英等基片上刻蚀衍射光学元件。离子束刻蚀是微细加工的一种重要手段。

仪器参数

离子刻蚀系统由离子源、真空系统、反应室、气路系统、水冷系统五大部分组成1.离子源口径:Ф150mm2.有效离子束直径:Ф100mm3.离子束流密度:≥1mA/cm24.离子能量:150eV~1000eV5.真空系统:1500升/秒分子泵、11升/秒机械泵各1台。带真空计。6.反应室尺寸:Ф325mm7.气路系统:2路进气(可作清洗);2个质量流量计,2路显示。8.可加工片子尺寸:Ф150mm以内。9.均匀性:±5%10.水温控制范围:5℃~25℃
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