检测范围
光刻系统的主要作用是通过紫外光刻、显影及刻蚀等一系列步骤制备出具有特定图形、结构的固态器件，是制备和研究固态微器件的必备工具。
仪器参数
正面对准，能够实现软接触、硬接触和接近式三种曝光模式。接近曝光间距设定范围1-900微米。可兼容5英寸的光刻掩膜，4英寸样品及f5-10mm样品。正面套准精度优于0.8um。采用分离视场显微镜对准，分辨率优于0.8um，观察方式为目镜及显示器。Osram紫外光源，光强35mW/cm2（365nm），曝光光强均匀性：±3%。光学显微镜采用透射及反射光源，可实现明场观察、暗场观察以及偏光功能。
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