检测范围
系统可以沉积SiO2、SiNX、SiOXNY、a-Si和SiC等介质膜材料，薄膜内应力可控；240mm直径下电极，可加热至400℃，可承载8英寸及以下样片；具有腔壁自动加热功能，腔壁温度维持在80℃左右；配置冷水机，控温精度达到±0.5℃；计算机控制腔体抽真空及充气过程，编程控制沉积参数。
仪器参数
300W,13.56MHz高频源；500W,50kHz-460kHz 低频源；反应腔室本底真空度小于1mTorr。SiO2沉积速率大于30nm/min; 4”wafer膜厚均一性小于±3%，重复性小于±2%；折射率均一性小于±0.001；应力小于50MPa(双频)。SiNx 沉积速率大于7nm/min；4”wafer膜厚均一性小于±2%，重复性小于±3%；折射率均一性小于±0.02；应力小于50MPa。
仪器特色&服务特色
该设备的常用用户包括交叉信息院等院系的研究生、博士后等科研人员。
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