检测范围
设备利用波导管将微波源发生的微薄传输到CVD的反应腔，经过调谐，微波电磁场在CVD反应腔体中形成共振，腔体中引入的反应气体在电磁场的作用下形成一定形状的等离子体，进而在等离子体中放置的衬底表面生长所需的材料薄膜，如金刚石或者类金刚石薄膜等。在2 inch的Si衬底上，
仪器参数
反应器配备5kW微波电源，可产生高密度等离子体，可以以高生长率制备单晶薄膜；生成室配置SUS双水冷管，以降低等离子辐射热度；反应器内的真空压力应达到10-5Pa以下；反应器内配备可上下升降的基片平台，电动式基片平台的升降范围在60mm以上，精度为0.1mm；样品台可放置50mm基片；配备有测量、分析等离子体光谱的光纤光谱仪，测量范围在200mm至800mm；配备有测量基板温度的双波长红外温度计，测量范围在480～1400℃，并有与参照测定温度点进行比对的功能。
仪器特色&服务特色
该设备的常用用户包括交叉信息院等院系的研究生、博士后等科研人员。
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