检测范围
主要工艺参数指标：2英寸GaAs,InP, Al2O3刻蚀均一性小于±3%,批次间重复性好于±3%；GaAs刻蚀速率大于1000nm/min, InP刻蚀速率大于1000nm/min, Al2O3刻蚀速率大于50nm/min。系统配置终点监测系统670nm激光干涉仪，可用于实时测量刻蚀深度。
仪器参数
300W,13.56MHz射频源；3kW,13.56MHz ICP源。系统可以刻蚀SiO2、SiNX、Al2O3、Nb、GaAs、InP、GaAlAs及InAs等薄膜材料。直径下电极，腔室大小满足4英寸及以下尺寸样品。工艺腔室真空度优于3x10-6 Torr。工艺腔室设有观察窗，具有腔壁自动加热功能，腔壁温度可维持在80℃左右；下电极配置冷水机，控温精度达到±0.5℃。系统配置有12路工艺气体的外置气体盒，满足目前工艺应用需求。
仪器特色&服务特色
该设备的常用用户包括交叉信息院等院系的研究生、博士后等科研人员三十余人。
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