检测范围
该系统配有蒸发室、清洁氧化处理腔室、溅射室、Load lock，用于制备各种高纯金属、氧化物以及超导薄膜，如Ti, Au, Al, Nb, NbN, Al2O3等。该设备电子束蒸发镀膜腔和磁控溅射镀膜腔相互独立，集成了两套系统的优点，而又避免了电子束蒸发和磁控溅射镀膜的交叉污染。镀膜室内可
仪器参数
1.系统配有四个腔室，分别为UHV蒸发室、UHV处理室、UHV溅射室和load lock，用于电子束蒸发沉积Ti, Au, Al, Al2O3等薄膜材料以及磁控溅射Nb,NbN薄膜材料。2.电子束蒸发源：4 x15cc ，2-10KV可调。3.溅射室配有两个2英寸磁控靶源分别对应Nb、NbTi，每个靶源有独立的挡板。
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