检测范围
具有多端口真空系统，可以提高刻蚀的均匀性可以自行设置刻蚀步骤过程，并且保存过程信息晶片温度可控设备一体化封装具有多端口真空系统，可以提高刻蚀的均匀性
仪器参数
可以处理高达6英寸的晶片预真空互锁反应腔可以允许氯元素参与反应使用具有高密度ICP等离子源可以刻蚀InP，GaAs，还有其他III-V族化合物，SiNx, SiO2, 还有光刻胶等物质刻蚀气体选择多样，可为Cl2, SiCl4, BCl3, Ar, CF4, CHF3, and O2等
仪器特色&服务特色
主要为电子系内部实验室使用，用于器件刻蚀及特殊材料的刻蚀工艺条件摸索。
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