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钨灯丝扫描电镜(Tungsten filament scanning electron microscope)
北京科技大学
日本电子，JSM-6480LV
北京市
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检测范围

材料结构分析：断口，薄膜，粉末，高分子材料，纳米材料，半导体，等

仪器参数

二次电子像的分辨率：3.0nm(30kV)；4.0nm(LV)放大倍数：×10～×300000加速电压：0.5kV～30kV束流：1pA～1μA低真空度：1～270Pa图象模式：二次电子像、背散射图象样品尺寸：直径≤200mm;高度≤80mm
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